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Offres de recrutement et d’emploi au LAAS BOREAL 1.1.1

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GE S4M, ISGE Conception de structures MOS et TMBS diamant pour l’électronique de puissan... A.CAZARRE, K.ISOIRD Technologies des semiconducteurs grand gap, simulation physique, diamant CVD, Composants MOS (Métal Oxyde Semiconducteur) Master ou Ingénieur STA468